Группа исследователей из Индийского научного института (IISc) достигла значимого успеха в области силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Это открытие обещает упрощение их использования при разработке высокотехнологичной электроники. Нитрид галлия снижает потери энергии и уменьшает размеры силовой электроники в три раза, однако его применение затрудняется ограничениями в работе затвора, регламентирующего ток.
Современные транзисторы GaN начинают проводить ток при пороговом напряжении около 1,5–2 В, но при 5–6 В возникают проблемы с проводимостью. Чтобы разобраться в этом аспекте, команда IISc провела детальное исследование. «Наш метод включает установление физической связи между обеднением p-GaN и процессами токовых утечек», — отметил профессор Майанк Шривастава.
В ходе работы были разработаны новые запирающие слои, которые позволили сократить утечку затвора в 10 000 раз. Вторая часть исследования представила новый интегрированный пакет затворов p-GaN на основе AlTiO, обеспечивший пороговое напряжение выше 4 В. Эти достижения могут ускорить внедрение нитрида галлия в области силовых преобразователей для электромобилей и других высоконадежных энергетических устройств, как отметил ведущий автор работы Расик Рашид Малик.
